3/10寬能隙元件技術暨未來應用趨勢研討會

碳化矽元件開發趨勢及關鍵技術

寬能隙(WBG)元件(第三代半導體)——氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等，具備高電子遷移率和高功率轉換效率、高擊穿電壓…等特性，適用於包括行動通訊設備如5G基地台、電動車、工業4.0、再生能源等對高壓電源架構需求高的應用。不過，寬能隙半導體雖然具備比矽元件更好的優勢，但其在半導體製程相關技術及應用設計方面難度較高。Tech Taipei「寬能隙元件技術暨未來應用趨勢研討會」強茂受邀參加發表"碳化矽元件開發趨勢及關鍵技術"，將闡述主要議題如下:
1. SiC Target Market & PANJIT Tech Roadmap
2. Develop Trend of SiC Diode
3. Key Technology of SiC Diode
4. PANJIT SiC Diode Roadmap
5. Develop Trend of SiC MOSFET
6. Key Technology of SiC MOSFET
7. PANJIT SiC MOSFET Roadmap
歡迎參加並蒞臨指教。
地點: 臺大醫院國際會議中心2樓201
日期:March, 10th, 2022
研討會時間: 09:00~17:30(中文演講)